텍사스 인스트루먼트(www.ti.com, 이하 TI)는 라이트온 테크놀로지(www. liteon.com)가 북미 시장을 위한 최신 고성능 서버 전원 공급 장치(PSU)에 TI의 고집적 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 C2000 TM 실시 간 마이크로컨트롤러(MCU)를 채택했다고 발표했다. 새롭게 상용화된 PSU 는 TI의 LMG3522R030 GaN FET과 TMS320F28003x C2000 실시간 MCU 를 활용하여 95W/in³ 이상의 전력 밀도를 제공하며 80 Plus 티타늄 표준을 충족한다.
라이트온 테크놀로지의 존 창(John Chang) 사장은 “고성능 서버는 더 적은 공간에서 더 많은 전력을 요구하기 때문에 높은 전원 출력, 변환 효율 성, 소형화된 부품 및 발열 관리가 중요한 과제로 떠오르고 있다. 이런 부분 에서 TI의 GaN 기술과 C2000 실시간 MCU가 우리 솔루션에 가장 적합하다 고 판단했다”고 말했다.
라이트온 테크놀로지는 TI GaN 및 C2000 실시간 MCU를 활용하여 유연 한 도터 카드(daughter-card) 설계를 구현한다. 또한 이 설계 방식은 엔지 니어가 설계를 다른 전원 공급 장치 요구 사항에 맞게 확장할 수 있어 프로
젝트 설계 주기를 단축하는 데 도움을 준다.
라이트온 테크놀로지의 설계 엔지니어들은 TI의 전문가들과 협력하여 전 원 루프 및 도터 카드 레이아웃을 최적화했으며, PSU 설계에 GaN 기술의 도입을 가속화했다. 또 전력 FET 및 컨트롤러 설계에 대한 TI의 전문 지식을 활용하여 시스템 수준의 포괄적인 검증을 통해 PSU의 신뢰성을 향상했다. TI의 C2000 실시간 MCU 및 GaN의 유연한 고해상도 펄스 폭 변조(PWM) 작동은 엔지니어가 높은 스위칭 주파수, 고급 토폴로지 및 스위칭 체계를 구 현하는 데 도움을 준다.
