IR, 혁신적인 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼
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| IR의 올레그 케이킨 사장 |
IR은 혁신적인 갈륨 질화물(GaN) 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 성공적으로 개발했다고 최근 발표했다.
이 제품은 컴퓨팅 및 커뮤니케이션, 차량, 전기제품 등과 같은 다양한 시장 세그먼트의 최종 애플리케이션에서 극적으로 성능을 증가시키는 동시에 에너지 소비를 줄일 수 있으며, 최신 실리콘 기반 기술 플랫폼과 비교하여 고객들이 주요 애플리케이션의 FOM(Figures Of Merit)을 10배까지 향상시킬 수 있도록 해준다.
IR의 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 통해 전력 변환 솔루션에 있어 혁신적인 진전이 가능하게 됐다. 또한, AC-DC 다양한 애플리케이션에서 IR이 60년 동안 쌓아온 전력 변환 전문기술에 효율적으로 도입함으로써 시스템 솔루션 제품 및 관련 IP 포트폴리오가 첨단 디스크리트 전력 디바이스를 뛰어 넘어 한층 확장된다.
몇 가지 새로운 GaN 기반 제품 플랫폼의 프로토타입은 2008년 11월 11일에서 14일까지 독일 뮌헨에서 개최될 일렉트로니카 전시회에서 주요 OEM 고객들에게 선보일 예정이다.
IR은 새로운 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 미국 캘리포니아 샌프란시스코에서 9월 15일부터 18일까지 개최될 디지털 파워 포럼 2008, 미국 캘리포니아 산호세에서 9월 17일부터 18일까지 개최될 임베디드 파워 컨퍼런스 2008, 아일랜드 코크에서 9월 22일부터 24일까지 개최될 파워 서플라이 온 어 칩 인터내셔널 워크숍 등 다음 2주 간 개최될 주요 업계 행사에서 소개할 예정이다.
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